本站 9 月 5 日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子 ds 部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。
根据 DDR 内存路线图，三星计划在 2024 年内推出 1c nm 制程 DDR 内存，该节点可提供 32Gb 颗粒容量产品；而在 2026 年三星将推出其最后一代 10nm 级工艺 1d nm，仍最大提供 32Gb 容量。
来到 2027 年，三星将突入 10nm 以下级 DRAM 制程节点，发布 0a nm 工艺 DDR 内存产品，同时该节点的内存单颗粒容量也将来到更高的 48Gb，即 6GB。
此外对于 LPDDR 内存，李祯培介绍了 LPDDR5-PIM（本站注：内存内处理）产品。这一整合计算单元的存储介质可提升 70% 系统能效和最多 8 倍性能。
而在 HBM 内存路线图上，三星电子明确其下下代产品 HBM4E 将于 2026 年推出，与 SK 海力士的进度相当。
以上就是三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E的详细内容，更多请关注【创想鸟】其它相关文章！
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至253000106@qq.com举报，一经查实，本站将立刻删除。
发布者：PHP中文网，转转请注明出处：https://www.chuangxiangniao.com/p/2399113.html
