SK 海力士无锡工厂升级将推出第四代 DRAM产品

本站 1 月 16 日消息,根据韩媒《首尔经济日报》报道,sk 海力士计划在 2024 年之前,完成对无锡 c2 工厂的改造,转换升级为第四代(1a)d-ram 工艺,该工艺达到 10nm 级别。

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

无锡工厂是SK hynix公司的核心生产基地,约占其D-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代(1y)和第三代(1z)D-RAM,属于旧产品线。

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

据消息称,SK 海力士计划在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的一部分工艺,并将晶圆运送到位于韩国总部利川园区内,经过 EUV 加工后再返还至无锡工厂。

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

由于第四代产品只有一个 D-RAM 层需要采用 EUV 工艺,该公司显然认为成本增加是值得的。

在2013年无锡工厂大火期间,该公司克服了D-RAM生产中断的困难,积累了丰富的经验。

关于无锡工厂的工艺转型,SK 海力士表示无法确认该公司具体的工厂运营计划。

以上就是SK 海力士无锡工厂升级将推出第四代 DRAM产品的详细内容,更多请关注【创想鸟】其它相关文章!

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至253000106@qq.com举报,一经查实,本站将立刻删除。

发布者:PHP中文网,转转请注明出处:https://www.chuangxiangniao.com/p/1452027.html

(0)
上一篇 2025年2月17日 22:55:40
下一篇 2025年2月17日 22:55:49

AD推荐 黄金广告位招租... 更多推荐

相关推荐

发表回复

登录后才能评论