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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
本站 4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述，为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。三星近期在行业会议 Memcon 2024 …- 3
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美光：预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响
本站 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性损害，长期 D…- 3
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三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量
本站 4 月 17 日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达 10.7gbps 速率的 lpddr5x dram 内存。参考本站以往报道，目前其他厂商的 LPDDR5X DRAM 内存最高速率为 9.6Gbps。三星表示，这款 10.7Gbps LPDDR5X 内存基于 12nm 级工艺技术，相较上代产品性能提高 25% 以上，容量提高 30% 以上。同时该内存将移动 DRAM 的单封装容量扩充…- 4
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佰维推出国产CXL 2.0 DRAM内存扩展模块，可达到96GB的最高容量和32GB/s的理论带宽
本站 12 月 27 日消息，随着 ai 应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。cxl 建立在 pcie 的物理和电气接口之上，cxl 内存扩展功能可在服务器中的直连 dimm 插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能 cpu / gpu 的算力需求。近日，国产佰维存储宣布成功研发出支持 CXL 2.0 规范的 CXL DRAM 内存扩展模块。佰维 CXL…- 3
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2024Q1 DRAM 合约价有望环比增长13-18%：集邦咨询提供预估数据
本站 1 月 9 日消息，集邦咨询近日发布报告，预估 2024 年第 1 季度全球 dram 合约价格环比增长 13-18%，其中 mobile dram 持续领涨。集邦咨询报道称原厂认为 2024 全年需求展望仍不明朗，仍有必要持续性减产，以维持存储器产业的供需平衡。本站附上各项 DRAM 方面情况如下：PC DRAM方面：由于 DDR5 订单需求尚未被满足，同时买方预期 DDR4 价格会持续上…- 3
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消息称 SK 海力士、三星电子陆续停产 DDR3 内存，带动市场价格上行
本站 5 月 13 日消息，据台媒《经济日报》报道，sk 海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应 ddr3 内存，带动近期 ddr3 dram 价格上涨，最高涨幅达两成。DDR3 目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi 路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称，三星电子已向客户通知本季度末停止供应 DDR3；而 SK 海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换，逐步淡出了 DDR3…- 3
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SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
本站 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的…- 3
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戴尔 COO 示警：下半年 DRAM 内存和固态硬盘价格季度涨幅将达约 15~20%
本站 6 月 4 日消息，戴尔 COO 杰弗里・克拉克（Jeffrey Clarke）在公司 2025 财年第一季度（本站注：截至 2024 年 5 月 3 日）财报电话会议上警告，下半年 DRAM 内存和固态硬盘将继续迎来价格上涨。克拉克表示，一季度是戴尔全年的成本低点，未来几个季度戴尔将在成本上面临阶梯式的增长。这一涨势主要由 DRAM 和固态硬盘的供不应求推动。戴尔认为大量的 AI 服务器订…- 3
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消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成，已就此成立专门工作组
本站 6 月 11 日消息，韩媒 zdnet korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 级） dram 内存良率仍不足五成。这一数据远低于 80~90% 的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。参考本站以往报道，三星电子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 内存开发成…- 4
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消息称 SK 海力士五层堆叠 3D DRAM 内存良率已达 56.1%
本站 6 月 24 日消息，韩媒 businesskorea 报道，业内人士透露 sk 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 vlsi 2024 峰会上发表了有关 3d dram 技术的最新研究论文。在这篇论文中，SK 海力士报告其五层堆叠的 3D DRAM 内存良率已达 56.1%，实验中的 3D DRAM 展现出与目前 2D DRAM 相似的特性。据介绍，与传统的 DRAM …- 3
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TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产
本站 7 月 26 日消息，据韩媒 the elec 报道，来自分析机构 techinsights 的 choi jeong-dong 博士表示，采用 3d、4f2、vct（垂直通道晶体管）等创新结构的 dram 内存有望于 0c nm 节点实现量产。0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大 DRAM 原厂最先进的工艺是 1b (1β) nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。…- 2
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消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
本站 9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 sk 海力士的“类 hbm 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。综合本站此前报道，三星电子的此类产品叫做LP Wide I/O 内存，SK 海力…- 3
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消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 系列手机开发
本站 9 月 4 日消息，据韩媒 zdnet korea 报道，三星电子 mx 部门 8 月向 ds 部门表达了对面向galaxy s25 系列手机的 1b nm（本站注：即 12nm 级） lpddr 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm …- 2
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三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E
本站 9 月 5 日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子 ds 部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。根据 DDR 内存路线图，三星计划在 2024 年内推出 1c nm 制程 DDR 内存，该节点可提供 32Gb 颗粒容量产品；而在 2026 年三星将推出其最后一代 10nm 级工艺 1d nm，仍最大提供 32Gb 容量。▲ 图源《韩国先驱报…- 2
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消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
本站 10 月 22 日消息，韩媒 zdnet korea 当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm 级）dram 内存 good die 良品晶粒，公司内部对此给予积极评价。不过三星的 1c nm DRAM 量产开发尚需一段时日，首批产品良率不足一成。产能方面，三星电子计划在今年底前建成第一条 1c nm DRAM 内存量产线。▲ 三星电子 HBM 内存参考本…- 3
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消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
本站 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 v-nand 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm dram 则将采用 vct 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。报道表示三星第 10 代（即下…- 3
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TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%
本站 12 月 30 日消息，trendforce 集邦咨询表示，2025q1 进入 dram 内存市场淡季阶段。在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下，明年不计入 hbm 的一般型 dram 内存合约价整体将出现 8%~13% 下滑，较本季度降幅扩大 5 个百分点。PC DRAM在 PC DRAM 方面，DDR4 合约价将下降 10%~15%、而 DDR5 降幅为较窄的 5%~10%…- 3
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主板上的DRAM指示灯呈橙色，但没有显示
本文将探讨主板上的dram指示灯的作用。当主板上的dram指示灯显示为橙色，但没有任何显示时，可能意味着存在一些硬件问题。在这种情况下，本文将提供一些建议来解决这些问题。主板上的DRAM指示灯为橙色，但没有显示主板是计算机的核心硬件，连接其他硬件组件如CPU、RAM和硬盘。当硬件出现问题，主板会发出报警音或通过LED指示灯显示问题。若DRAM指示灯为橙色但没有显示，可尝试以下建议。执行硬重置清除C…- 3
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三星电子：客户库存调整接近完成，明年起部分地区 DRAM 和 NAND Flash 将出现短缺
本站 10 月 8 日消息，据 digitimes，三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。根据结果显示，各个领域的客户已经接近完成存储库存的调整，预计从2024年开始，半导体行业将全面反弹。三星预测在2024年之后，某些地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺图源 Pexels一位三星高管提到，大量半导体公司已经逐步完成库存调整，预计 NAND 业务的亏损将大幅减少。根据证…- 3
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TrendForce：第二季度 DRAM 内存产业营收止跌回升，环比增长 20.4%
本站 8 月 24 日消息，trendforce 最新研究显示，第二季 dram 产业营收约 114.3 亿美元，环比增长 20.4%，终结连续三个季度的跌势。分析师表示，本季度的增长是由于人工智能服务器需求的增加，推动了高带宽内存（HBM）的出货量增长，再加上客户端DDR5的备货潮，导致三大原厂的出货量都有所增长其中，SK 海力士出货量环比增长超过 35%，且平均价（ASP）较高的 DDR5、H…- 4
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SK 海力士DRAM市场份额达到历史最高水平，占有率达到35%
本站 11 月 26 日消息，随着 hbm 内存在人工智能时代的重要性不断增加，dram 行业已开始逐渐朝着以质量为中心的赢家通吃的格局转变。根据市场研究公司Omdia的最新分析，SK海力士在今年第三季度的DRAM市场占有率已经达到了35%Omdia 高级分析师 Jung Sung-kong 表示，由于生成式人工智能的影响，AI 服务器的比例正在增加，预计中长期内对 AI 的需求将继续增长。DRA…- 4
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SK 海力士无锡工厂升级将推出第四代 DRAM产品
本站 1 月 16 日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，sk 海力士计划在 2024 年之前，完成对无锡 c2 工厂的改造，转换升级为第四代（1a）d-ram 工艺，该工艺达到 10nm 级别。无锡工厂是SK hynix公司的核心生产基地，约占其D-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧产品线。据消息称，SK 海力士计划在无锡工厂完成…- 3
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1c 纳米世代内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料
韩媒the elec报道称，三星和美光将在下一代dram内存中，即1c nm工艺中引入更多新技术。这一举措有望进一步提升内存性能和能效。三星和美光作为全球dram市场的主要领导者，其技术创新将推动整个行业的发展。这也意味着未来的内存产品将更加高效和强大。本站注：1c nm 世代即第六个 10+ nm 世代，美光也称之为 1γ nm 工艺。目前最先进的内存为 1b nm 世代，三星称其 1b nm …- 3
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控制产量效益显现，2023Q4 DRAM 产值 174.6 亿美元：环比增加 29.6%
本站 3 月 5 日消息，根据集邦咨询发布的最新报告，在各家厂商备货积极性逐渐被调动，以及三大原厂控产效益显现等诸多因素影响，2023 年第 4 季全球 dram 产业营收达 174.6 亿美元，环比增长 29.6%。该机构通过观察认为 2024 年第 1 季 DRAM 市场继续上涨，原厂目标仍为改善获利，涨价意图强烈，促使 DRAM 合约价环比要再增加 20%。营收三星三星受益于1alpha n…- 3
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